科研进展
实验室突破晶圆级二维半导体堆垛调控技术
近日，实验室联合南京大学、东南大学等研究团队成功实现晶圆级菱方相（3R相）二硫化钼（MoS2）的可控制备。这一突破解决了二维材料堆垛方式精准调控的难题，为新型半导体器件开发奠定了基础。
研究团队创新采用同质外延策略，以单层单晶MoS2为衬底，通过精确调控生长条件，制备出高纯度3R相多层MoS2晶圆。结合人工智能分析，证实3R相占比接近100%。理论计算发现，反位缺陷MoS可有效促进3R相的选择性成核，打破热力学上2H和3R均衡竞争的态势。
该研究为二维材料的结构调控提供了新方法，有望推动高性能电子器件的发展。相关成果于7月9日在线发表于Nature Materials，实验室单聘博士后刘蕾、龚晓曙，双聘副研究员李涛涛，博士生温恒迪为论文共同第一作者。
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