科研进展
实验室成果入选2023年度中国半导体 十大研究进展
2月5日，由《半导体学报》组织评选的“2023年度中国半导体十大研究进展”结果公布，实验室“单原子层MoS2接触电阻接近量子极限”从54项候选成果中脱颖而出，成功入选。
该研究成果由前沿部王欣然团队实施，团队提出能带杂化增强欧姆接触新机理，利用半金属图片接触，成功将单原子层MoS2接触电阻降低至42Ω·μm，首次低于化学键结合的硅基器件并接近理论量子极限，进而实现了单层二维半导体晶体管最高电流记录。该成果发表于《自然》杂志（Nature, 2023, 613: 274–279），同时入选了ESI热点和高被引论文。
“中国半导体十大研究进展”评选活动受到半导体领域专家、学者广泛瞩目和高度认可。前沿部将以此次入选为契机，继续强化创新能力建设，确保重大成果产出，助力实验室高质量发展。
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